9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD17304Q3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD17304第三季度参考价格为0.97000美元。德州仪器CSD17304Q3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON。您可以下载CSD17304Q3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD17303Q5是MOSFET 30V N沟道NexFET功率MOSFET，包括CSD17303Q 5系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供NexFET等商品名功能，封装盒设计用于VSON-Clip-8以及Si技术，该器件也可以用作1沟道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.2W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为32 a，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为1.1V，Rds漏极-源极电阻为2.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为27ns，典型接通延迟时间为11.4ns，Qg栅极电荷为18nC，正向跨导Min为114S。
CSD17302Q5A是MOSFET N-CH 30V 87A 8SON，包括1.2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在10 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如5.2 ns，典型的关闭延迟时间设计为10.6 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD17302Q5A系列，Rds漏极-源极电阻为9 mOhms，Qg栅极电荷为5.4 nC，Pd功耗为3 W，包装为卷轴式，封装盒为VSON-FET-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，它的最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为16 A，正向跨导最小值为68 S，配置为单一。
CSD17301Q5A是MOSFET N-CH 30V 28A 8SON，包括单一配置，它们设计为在10.5 ns下降时间下工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于28A，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为VSON-FET-8，器件采用卷筒封装，器件具有3.2W的Pd功耗，Qg栅极电荷为19nC，Rds漏极-源极电阻为3mOhm，上升时间为16.2ns，系列为CSD17301Q5A，技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为10V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.1V。
