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FDB86102LZ

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.3A (Ta), 30A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 14.19608 14.19608
10+ 12.73301 127.33018
100+ 10.23494 1023.49420
800+ 8.40871 6726.97360
1600+ 7.64437 12230.99840
  • 库存: 4
  • 单价: ¥12.45779
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥14.20
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 21 nC@10 V
  • 最大功耗 3.1W(Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8.3A (Ta), 30A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 24欧姆@8.3A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1275 pF@50 V

FDB86102LZ 产品详情

该N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺生产,该工艺经过特别定制,可将导通电阻和开关损耗降至最低。已添加G-S齐纳以提高ESD电压水平。

特色

  • 最大rDS(开启)=24 mΩ VGS=10 V,ID=8.3 A时
  • 最大rDS(开启)=35 mΩ VGS=4.5 V,ID=6.8 A时
  • HBM ESD保护等级>6 kV(典型值)(注4)
  • 与竞争的沟槽技术相比,Qg和Qgd非常低
  • 快速切换速度
  • 100%UIL测试
  • 符合RoHS

应用

  • AC-DC商用电源
FDB86102LZ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDB86102LZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDB86102LZ价格参考¥12.457788,你可以下载 FDB86102LZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDB86102LZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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