9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2123LQ-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2123LQ-7参考价格为0.54000美元。Diodes Incorporated DMP2123LQ-7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 3A SOT23。您可以下载DMP2123LQ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP2123L-7是MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3，包括DMP2123系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为1.4W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为443pF@16V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为3A（Ta），最大Id Vgs的Rds为72 mOhm@3.5A，4.5V，Vgs的最大Id为1.25V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为7.3nC@4.5V，Pd功耗为1.4W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为20ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为3A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为72mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型导通延迟时间为12ns，沟道模式为增强型。
DMP2123LQ-13带有用户指南，其中包括Si技术，它们设计用于DMP2123系列，数据表说明中显示了用于卷筒的包装。
DMP2123L-7-F，电路图由GC制造。DMP2123L-7-F采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
