SI3460DDV-T1-GE3

规格参数

• 长（英寸） thirty-six
• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
• 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
• 漏源电压标 (Vdss) 20伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
• 供应商设备包装 6-TSOP
• 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
• 漏源电流 (Id) @ 温度 7.9A (Tc)
• 最大功耗 1.7W（Ta）、2.7W（Tc）
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC@8 V
• 导通电阻 Rds(ON) 28毫欧姆@5.1A，4.5V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 666 pF @ 10 V
• 材质 -