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TK3R1P04PL,RQ

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 58A (Tc) 最大功耗: 87W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 175摄氏度
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.96719 7.96719
10+ 7.14149 71.41499
100+ 5.57051 557.05140
500+ 4.60184 2300.92450
1000+ 3.63303 3633.03900
2500+ 3.39083 8477.09000
5000+ 3.30276 16513.81000
  • 库存: 9
  • 单价: ¥7.96719
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.97
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 工作温度 175摄氏度
  • 供应商设备包装 DPAK
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 60 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 58A (Tc)
  • 最大功耗 87W (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@500A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4670 pF @ 20 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.1毫欧姆@29A,10V
  • 材质 -

TK3R1P04PL,RQ 产品详情

TK3R1P04PL,RQ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TK3R1P04PL,RQ 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TK3R1P04PL,RQ价格参考¥7.967190,你可以下载 TK3R1P04PL,RQ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TK3R1P04PL,RQ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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