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TK30E06N1,S1X

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 43A (Ta) 最大功耗: 53W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.38775 7.38775
10+ 6.49688 64.96881
100+ 4.97876 497.87690
500+ 3.93579 1967.89600
1000+ 3.14863 3148.63300
2000+ 2.85348 5706.97000
5000+ 2.68349 13417.47000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.38776
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.39
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 TO-220
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16 nC @ 10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 200A
  • 最大功耗 53W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 15欧姆@15安、10伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 43A (Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1050 pF@30 V
  • 材质 -

TK30E06N1,S1X 产品详情

  • 应用范围:开关稳压器
  • 极性:N-ch
  • 世代:U-MOSⅧ-H
  • 内部连接:单个
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 装配基地:中国

特色

  • 装配底座:4.0 V
  • 装配底座:15 mΩ
  • 装配底座:1050 pF
  • 装配底座:16 nC

应用

开关稳压器
TK30E06N1,S1X所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TK30E06N1,S1X 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TK30E06N1,S1X价格参考¥7.387758,你可以下载 TK30E06N1,S1X中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TK30E06N1,S1X规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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