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Si7804DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8，包括卷盘封装，它们设计为与Si7804DN-GE3零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供TrenchFET/PPowerPAK等商标功能，封装盒设计为在PowerPAK-1212-8中工作，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为12纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为6.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极导通电阻为18.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强型。
SI7804DN-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于8 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如32 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，除了N沟道晶体管极性之外，该器件还可以用作TrenchFET/PPowerPAK商标。此外，该技术为Si，器件的上升时间为12 ns，器件的漏极-源极电阻为18.5 mOhms，Pd功耗为1.5 W，零件别名为SI7804DN-T1，封装为卷轴，封装外壳为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为6.5 A，下降时间为12 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7806ADN，带有SI制造的电路图。SI7806ADNQFN1212-8封装提供，是FET的一部分-单个。
