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SI7386DP-T1-E3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.31293 12.31293
10+ 11.02369 110.23694
100+ 8.59225 859.22520
500+ 7.09804 3549.02100
1000+ 5.60368 5603.68700
3000+ 5.60375 16811.27700
  • 库存: 0
  • 单价: ¥12.31293
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.31
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 最大功耗 1.8W(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 12A(Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V
  • 包装/外壳 PowerPAKSO-8
  • 供应商设备包装 PowerPAKSO-8
  • 导通电阻 Rds(ON) 7毫欧姆 @ 19A, 10V
  • 材质 -

SI7386DP-T1-E3 产品详情

特征

•根据IEC 61249-2-21,无卤素可用

•TrenchFET®功率MOSFET

•具有小尺寸和低1.07 mm外形的低热阻PowerPAK®封装



(图片:引线/示意图)

SI7386DP-T1-E3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SI7386DP-T1-E3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SI7386DP-T1-E3价格参考¥12.312930,你可以下载 SI7386DP-T1-E3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SI7386DP-T1-E3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

黑森尔 (Vishay Siliconix)

黑森尔 (Vishay Siliconix)

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...

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