9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQS482ENW-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQS482ENW-T1_GE3参考价格为0.97000美元。Vishay Siliconix SQS482ENW-T1_GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8W。您可以下载SQS482ENW-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQS24B5101GSLF，带有引脚细节，包括SQSxxB系列，它们设计用于管包装，高度如数据表注释所示，适用于0.069英寸（1.75mm），其工作温度范围为-55°C~125°C，安装类型设计用于表面安装，以及0.341英寸长x 0.154英寸宽（8.65mm x 3.90mm）尺寸尺寸，该设备也可用作24-QSOP、24-SSOP供应商设备包。此外，公差为±2%，该器件的温度系数为±100ppm/°C，该器件具有电路型母线，电阻欧姆为5.1k，电阻器数量为23，引脚数量为24，每个元件的功率为100mW，封装外壳为24-SSOP（0.154“，3.90mm宽）。
SQS24B5001GSLF和用户指南，包括±2%的公差，它们设计为在±100ppm/°C的温度系数下运行。数据表注释中显示了用于24-QSOP、24-SSOP的供应商设备包，其尺寸尺寸特性如0.341“L x 0.154”W（8.65mm x 3.90mm），系列设计为在SQSxxB中工作，以及5k电阻欧姆，该设备也可以用作每个元件100mW功率。此外，包装为管式，该设备采用24-SSOP（0.154“，3.90mm宽）包装箱，其工作温度范围为-55°C~125°C，电阻器数量为23，引脚数量为24，安装类型为表面安装，高度为0.069”（1.75mm），电路类型为总线式。
SQS405EN-T1_GE3，带有电路图，其最大工作温度范围为+175 C，它们设计用于卷筒包装，系列如数据表注释所示，用于SQ系列，提供Si等技术特性，商品名设计用于TrenchFET，以及P沟道晶体管极性，该器件还可以用作-12V Vds漏极-源极击穿电压。
SQS423EN-T1_GE3，带EDA/CAD型号，包括TrenchFET商品名，它们设计用于SQ系列系列，技术如数据表注释所示，用于Si，提供卷轴等封装功能，晶体管极性设计用于P通道，其最大工作温度范围为+175 C，该器件还可以用作-30 V Vds漏极-源极击穿电压。
