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NTTFS5C453NLTAG

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta)、107A(Tc) 最大功耗: 3.3W(Ta),68W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 20.06283 20.06283
10+ 17.99136 179.91364
25+ 16.97446 424.36150
100+ 14.46262 1446.26230
250+ 13.57985 3394.96450
500+ 11.88241 5941.20600
1500+ 11.20983 16814.75400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.22650
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥20.06
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 包装/外壳 8-PowerWDFN
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 35 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2100 pF@25 V
  • 供应商设备包装 8-WDFN (3.3x3.3)
  • 导通电阻 Rds(ON) 3毫欧姆 @ 40A, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 23A(Ta)、107A(Tc)
  • 最大功耗 3.3W(Ta),68W(Tc)
  • 材质 -

NTTFS5C453NLTAG 产品详情

在半导体NTTFS5功率MOSFET是单N通道功率MOSFET,具有u8FL逻辑电平。NTTFS5的低导通电阻使传导损耗最小化。MOSFET的低栅极电荷和电容减少了驱动器损耗。NTTFS5功率MOSFET占地面积为3.3x3.3mm,非常适合网络通信、电信、服务器、交流适配器和手持电源工具。

特色

  • 低RDS(打开)
  • 最小化传导损耗
  • 低输入电容
  • 最小化开关损耗
  • 占地面积小(3.3x3.3 mm)
  • 紧凑型设计
  • 符合RoHS

应用

  • 高性能DC-DC转换器
  • 加载点模块
  • AC-DC转换同步器。整改
  • 电机控制
  • 网通/电信
  • 服务器
  • 交流适配器
  • 电动工具
NTTFS5C453NLTAG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTTFS5C453NLTAG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTTFS5C453NLTAG价格参考¥11.226495,你可以下载 NTTFS5C453NLTAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTTFS5C453NLTAG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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