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NTHS4101PT1G

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Tj) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.33101 3.33101
  • 库存: 195
  • 单价: ¥3.33101
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.33
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 最大功耗 1.3W(Ta)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
  • 供应商设备包装 ChipFET
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.8A (Tj)
  • 导通电阻 Rds(ON) 34毫欧姆 @ 4.8A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2100 pF@16 V

NTHS4101PT1G 产品详情

功率MOSFET-20 V,-6.7 A,单P沟道ChipFET™

特色

  • 在ChipFet中提供超低RDS(开启)解决方案™ 包裹
  • 微型ChipFet™ 封装体积比TSOP-6小40%,使其成为应用的理想设备,因为电路板空间很高。
  • 薄型(<1.1 mm)可使其轻松适应极薄的环境,如便携式电子设备。
  • 设计用于在栅极电压(低至1.8V)下提供低RDS(开启)。便携式电子设备中许多逻辑IC中使用的工作电压。
  • 简化电路设计,因为不需要用于栅极电压的附加升压电路。
  • 在标准逻辑级门驱动下运行,使用相同的基本拓扑促进未来迁移到较低级别。

应用

  • 针对便携式设备和其他便携式应用中的电池和负载管理应用进行了优化
  • 电池充电器中的充电控制
  • 降压和升压转换器
  • MP3播放器
  • 手机
  • 数码相机
  • PDA
NTHS4101PT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTHS4101PT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTHS4101PT1G价格参考¥3.331010,你可以下载 NTHS4101PT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTHS4101PT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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