该N沟道功率MOSFET采用STripFET F5技术开发,并经过优化以实现极低的导通电阻,从而使FoM在同类产品中名列前茅。
特色
- AEC-Q101合格
- 低通电阻RDS(开)
- 高雪崩强度
- 低门驱动功率损失
- 可湿侧包装
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 12.24050 | 12.24050 |
10+ | 11.00196 | 110.01965 |
100+ | 8.84502 | 884.50290 |
500+ | 7.26694 | 3633.47300 |
1000+ | 6.60624 | 6606.24900 |
3000+ | 6.60624 | 19818.74700 |
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该N沟道功率MOSFET采用STripFET F5技术开发,并经过优化以实现极低的导通电阻,从而使FoM在同类产品中名列前茅。
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