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SIR122DP-T1-RE3
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SIR122DP-T1-RE3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.7A（Ta），59.6A（Tc） 最大功耗: 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.46018 7.46018
10+ 6.67795 66.77954
100+ 5.20402 520.40240
500+ 4.29909 2149.54800
1000+ 3.39402 3394.02300
3000+ 3.39402 10182.06900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.46019
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.46
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规格参数

  • 长（英寸） ninety-six
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 漏源电压标 (Vdss) 80 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 44 nC @ 10 V
  • 包装/外壳 PowerPAKSO-8
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.8V @ 250A
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 7.5V, 10V
  • 供应商设备包装 PowerPAKSO-8
  • 最大功耗 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 16.7A（Ta），59.6A（Tc）
  • 导通电阻 Rds(ON) 7.4毫欧姆 @ 10A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1950 pF@40 V

SIR122DP-T1-RE3 产品详情

9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR122DP-T1-RE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR122DP-T1-RE3参考价格为1.03000美元。Vishay Siliconix SIR122DP-T1-RE3封装/规格：MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK。您可以下载SIR122DP-T1-RE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。

9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SIR122DP-T1-RE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。

SIR15-21C/TR8，引脚细节由EVERLIGHT制造。SIR15-21C/TR8采用DIP封装，是IC芯片的一部分。

SIR158，带有VISHAY制造的用户指南。SIR158在QFN封装中提供，是FET的一部分-单个。

SIR158DP，带有VISHAY制造的电路图。SIR158DP在QFN8封装中提供，是FET的一部分-单个。

SIR158DP-T1，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SIR158DP-T1在PowerPAKSO8封装中提供，是FET的一部分-单个。

SIR122DP-T1-RE3 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
SIR36SIR36布雷迪 (Brady)(RUG) SIR36, INDUSTRIAL RUG, 36"¥2,955.03077
SIR36150SIR36150布雷迪 (Brady)(RUG) SIR36150, INDUSTRIAL RUG,¥1,665.79457
SIR1-03-L-S-A-K-TRSIR1-03-L-S-A-K-TR申泰 (Samtec)SIR1-03-L-S-A-K-TR¥19.4834
SIR1-03-S-S-K-TRSIR1-03-S-S-K-TR申泰 (Samtec)连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: three 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角¥31.02858
SIR1-15-L-SSIR1-15-L-S申泰 (Samtec)连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: fifteen 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角¥65.91039
SIR1-10-L-SSIR1-10-L-S申泰 (Samtec)连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: ten 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角¥53.09046
SIR1-03-L-S-TRSIR1-03-L-S-TR申泰 (Samtec)连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: three 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角¥22.88351
SIR1-10-L-S-A-K-TRSIR1-10-L-S-A-K-TR申泰 (Samtec)连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: ten 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角¥42.53509
SIR1-10-L-S-ASIR1-10-L-S-A申泰 (Samtec)连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: ten 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角¥57.14648
SIR1-07-S-S-A-K-TRSIR1-07-S-S-A-K-TR申泰 (Samtec)连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: 7 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角¥45.1208
SIR122DP-T1-RE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SIR122DP-T1-RE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIR122DP-T1-RE3价格参考￥7.460187，你可以下载 SIR122DP-T1-RE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIR122DP-T1-RE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！

黑森尔 (Vishay Siliconix)

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Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...

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