9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的RTR025N03HZGTL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RTR025N03HZGTL参考价格为0.59000美元。Rohm Semiconductor RTR025N03HZGTL封装/规格：MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3。您可以下载RTR025N03HZGTL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RTR020P02TL是MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3，包括RTR020P01系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SC-96等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TSMT3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET P信道，金属氧化物，最大功率为1W，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为430pF@10V，FET特性为逻辑电平门，2.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为2A（Ta），最大Id Vgs的Rds为135 mOhm@2A，4.5V，Vgs最大Id为2V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为4.9nC@4.5V，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为2A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为11ns，沟道模式为增强。
RTR025N03TL是MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3，包括1.5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于12 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计用于25 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在TSMT3供应商器件封装中提供，该器件具有RTR025N03系列，上升时间为15 ns，Rds On Max Id Vgs为92 mOhm@2.5A，4.5V，Rds On Drain Source电阻为950 mOhm，功率最大值为1W，Pd功耗为1 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SC-96，它的工作温度范围为150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为220pF@10V，Id连续漏电流为2.5 A，栅极电荷Qg Vgs为4.6nC@4.5V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为10ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为2.5A（Ta），配置为单沟道，沟道模式为增强型。
RTR025N03，电路图由ROHM制造。RTR025N03在SOT23封装中提供，是FET的一部分-单个。
RTR025N03 TL，带有ROHM制造的EDA/CAD模型。RTR025N03 TL在SOT-23TSMT3封装中提供，是FET的一部分-单个。
