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PSMN3R8-100BS是MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于D2PAK，除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外，该器件还可以用作306W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为100V，该器件提供9900pF@50V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为120A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为3.9mOhm@25A，10V，Vgs th最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为170nC@10V。
PSMN3R4-30PL.127和NXP制造的用户指南。是IC芯片的一部分。
PSMN3R5-30YL，带有NXP制造的电路图。PSMN3R5-30YL在SOT669封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN3R5-30YL，115，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN3R5-30YL，115可在LFPAK56-5封装中获得，是IC芯片的一部分，N沟道30V 100A（Tc）74W（Tc）表面贴装LFPAK56，Power-SO8，Trans MOSFET N-CH 30V 100B 5引脚（4+Tab）LFPAK T/R，MOSFET<=30V N=“”CH=“”>.
