9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2021UFDE-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2021UFDE-7参考价格为0.60000美元。Diodes Incorporated DMP2021UFDE-7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN。您可以下载DMP2021UFDE-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMP2021UFDE-7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMP2018LFK-7是MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN，包括DMP2018系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如6-PowerUDFN，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在U-DFN2523-6供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET P信道，金属氧化物，最大功率为1W，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为4748pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为9.2A（Ta），最大Id Vgs的Rds为16 mOhm@3.6A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@200μA，栅极电荷Qg Vgs为113nC@10V，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为9.2A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1.2V，Rds漏极源极电阻为25mOhm，晶体管极性为P沟道，Qg栅极电荷为113nC，沟道模式为增强。
带用户指南的DMP2021UFDF-13，包括-350 mV Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于+/-8 V Vgs栅极源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如7.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为125 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为DMP2021，器件的上升时间为25 ns，器件的漏极-源极电阻为22 mOhms，Qg栅极电荷为59 nC，Pd功耗为2.02 W，封装为卷轴式，封装外壳为DFN-2020-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-9A，下降时间为96ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMP2021UFDF-7带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了用于96 ns的下降时间，提供了Id连续漏极电流功能，如-9 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用DFN-2020-6封装盒，该器件具有一卷封装，Pd功耗为2.02 W，Qg栅极电荷为59 nC，Rds漏极源极电阻为22 mOhm，上升时间为25 ns，系列为DMP2021，技术为Si，晶体管极性为P信道，典型关断延迟时间为125ns，典型接通延迟时间为7.5ns，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极电压为+/-8V，第Vgs栅极源极阈值电压为-350mV。
