9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2035UVTQ-7,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2035UVTQ-7参考价格为0.54000美元。Diodes Incorporated DMP2035UVTQ-7封装/规格:MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26。您可以下载DMP2035UVTQ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的,可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如DMP2035UVTQ-7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
DMP2035UTS-13是MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP,包括DMP2035系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.005573盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装外壳设计用于8-TSSOP(0.173“,4.40mm宽)以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,器件提供2通道数量的通道,器件具有供应商器件封装的8-TSSOP,配置为双通道,FET类型为2 P通道(双通道)公共漏极,最大功率为890mW,晶体管类型为2 P沟道,漏极至源极电压Vdss为20V,输入电容Cis-Vds为1610pF@10V,FET特性为逻辑电平门,25°C时的电流连续漏极Id为6.04A,最大Id Vgs上的Rds为35mOhm@4A,4.5V,Vgs最大Id为1V@250μA,栅极电荷Qg-Vgs为15.4nC@4.5V,Pd功耗为890mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Id连续漏极电流为6.04 A,Vds漏极-源极击穿电压为-20 V,Rds漏极源极电阻为23 mOhm,晶体管极性为P沟道,Qg栅极电荷为15.4nC,并且正向跨导Min为14S。
DMP2035UFCL-7带有用户指南,其中包括Si技术,它们设计用于DMP2035系列,数据表说明中显示了用于卷筒的包装。
DMP2035U-7-F,电路图由DIODES制造。DMP2035U-7-F采用SOT23-3封装,是IC芯片的一部分。
DMP2035U-7-F/MP3,带EDA/CAD型号DMP2035U-7-F/MP3采用SOT23-3封装,是IC芯片的一部分。