9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7439DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7439DP-T1-GE3参考价格$4.17000。Vishay Siliconix SI7439DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8。您可以下载SI7439DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7434DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7434DP-GE3中使用的零件别名，该SI7434DPE-GE3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.9W，晶体管类型为1 N沟道，漏极到源极电压Vdss为250V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.3A（Ta），最大Id Vgs的Rds为155 mOhm@3.8A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为50nC@10V，Pd功耗为1.9 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为23纳秒，上升时间为23 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为250 V，Rds导通-漏极电阻为155毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47纳秒，典型的开启延迟时间为16ns，信道模式为增强。
SI7439DP-T1-E3是MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-150 V，具有0.017870 oz等单位重量特性，典型的开启延迟时间设计为25 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR SO-8，系列为TrenchFETR，上升时间为46 ns，Rds On Max Id Vgs为90 mOhm@5.2A，10V，Rds On Drain Source Resistance为90 mOhm，Power Max为1.9W，Pd功耗为1.9 W，部件别名为SI7439DP-E3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR SO-8，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为3A，栅极电荷Qg Vgs为135nC@110V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为46ns，漏极到源极电压Vdss为150V，电流连续漏极Id 25°C为3A（Ta），配置为单沟道，沟道模式为增强型。
SI7439DP，带有VISHAY制造的电路图。SI7439DP采用QFN-8封装，是IC芯片的一部分。
