9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIS888DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIS888DN-T1-GE3参考价格为1.72000美元。Vishay Siliconix SIS888DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK。您可以下载SIS888DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIS862DN-T1-GE3是MOSFET 60V8.5mOhm@10V40A N-Ch G-IV，包括SISxxxDN系列，它们设计用于卷筒包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供ThunderFET TrenchFET等商标功能，包装盒设计用于PowerPAK-1212-8以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有52 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为40 a，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.5V至2.6V，Rds漏极源极电阻为8.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为8.7nC，正向跨导最小值为60S，沟道模式为增强。
SIS85C497NU，带有SIS制造的用户指南。SIS85C497NU采用QFP封装，是IC芯片的一部分。
SIS85C501，带有KEXIN制造的电路图。SIS85C501采用MP200封装，是IC芯片的一部分。
SIS85C502，带有KEXIN制造的EDA/CAD模型。SIS85C502采用MP200封装，是IC芯片的一部分。
