9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2337DS-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2337DS-T1-E3参考价格为1.05000美元。Vishay Siliconix SI2337DS-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3。您可以下载SI2337DS-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI2336DS-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23，包括卷筒包装，它们设计用于SI2336DS GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-23-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.8 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为5.2 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为42mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20nS，典型接通延迟时间为6nS，Qg栅极电荷为5.7nC，正向跨导Min为30S。
SI2337和SISHAY制造的用户指南。SI2337采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
Si2337DS，带有VISHAY制造的电路图。Si2337DS采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
