9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4850BDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4850BDY-T1-GE3价格参考1.03000美元。Vishay Siliconix SI4850BDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 8.4A/113A 8SO。您可以下载SI4850BDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4850EY-T1-E3是MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4850EY-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SO-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为1.7 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-电源电阻为22mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
SI4850EY是由VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8引脚SOIC N。SI4850EY在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8引脚SOIC N。
SI4850EY-T1是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC。SI4850EY-T1采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是IC芯片的一部分，支持MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC、N沟道60V 6A（Ta）1.7W（Ta）表面安装8-SO、Trans MOSFET N-CH60V 6A 8-引脚SOIC N T/R。
