PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷(Qg)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术,这些设备的FOM(品质因数)显著低于前几代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。
特色
- –4.5安培,–20伏特。
- RDS(开启)=48 mΩ@VGS=–4.5 VRDS(开启)=65 mΩ@VGA=–2.5 V
- 低栅极电荷(典型值为10 nC)
- 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
- 超级SOT™ –6封装:占地面积小(比标准SO-8小72%;薄型(1mm厚)
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。