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DMP2035UVT-7是MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26，包括DMP2035系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-23-6 Thin、TSOT-23-6等封装盒功能，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TSOT-26供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET P信道、金属氧化物，最大功率为1.2W，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为2400pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6A（Ta），最大Id Vgs的Rds为35mOhm@4A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为23.1nC@4.5V，Pd功耗为1.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为42 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为-6A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs第栅极-源阈值电压为-1.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为35mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为94ns，典型导通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为15.4nC，正向跨导Min为18S，信道模式为增强。
DMP2035UTS-13是MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.005573盎司，提供晶体管类型功能，如2 P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该设备也可以用作8-TSSOP供应商设备包。此外，该系列为DMP2035，该器件提供35 mOhm@4A、4.5V Rds On Max Id Vgs，该器件具有23 mOhm Rds On Drain Source电阻，Qg栅极电荷为15.4nC，最大功率为890mW，Pd功耗为890mW，封装为Digi-ReelR Alternative Packaging，包装箱为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽），其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为1610pF@10V，Id连续漏极电流为6.04 A，栅极电荷Qg Vgs为15.4nC@4.5V，正向跨导最小值为14S，FET类型为2 P沟道（双）公共漏极，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为6.04A，配置为双。
DMP2038USS-13带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了用于35.5 ns的下降时间，提供了Id连续漏电流特性，如-6.5 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用SO-8封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为2.5W，Qg栅极电荷为14.4nC，Rds漏极源极电阻为33mOhm，上升时间为14ns，系列为DMP2038，技术为Si，商品名为PowerDI，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1P沟道，典型关断延迟时间为79.1ns，典型接通延迟时间为13.7ns，单位重量为0.002610 oz，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅源极电压为8V，Vgsth栅源极阈值电压为-1.1V。
