9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIS407DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIS407DN-T1-GE3参考价格为1.05000美元。Vishay Siliconix SIS407DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8。您可以下载SIS407DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIS406DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK，包括SISxxxDN系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名显示在SIS406DN-GE3中使用的数据表注释中，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于PowerPAK-1212-8以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为12纳秒，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为9 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极导通电阻为11mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为20ns，沟道模式为增强型。
带有用户指南的SIS407ADN-T1-GE3，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1 P沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于P沟道，提供TrenchFET等商标功能，技术设计用于Si，以及PowerPAKR 1212-8供应商设备包，该器件也可以用作TrenchFETR系列。此外，Rds On Max Id Vgs为9 mOhm@15A，4.5V，该设备提供39.1W Power Max，该设备具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为PowerPAKR 1212-8，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），通道数为1个通道，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为5875pF@10V，栅极电荷Qg Vgs为168nC@8V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id为25°C，18A（Tc）。
SIS406DN-T1-GE3-S，带有VISHAY制造的电路图。SIS406DN-T1-GE3-S采用DFN8封装，是IC芯片的一部分。
