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CSD23202W10是MOSFET 12V PCH NexFET，包括CSD23202W20系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于DSBGA-4以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为4 ns，Vgs栅极-源极电压为-6 V，Id连续漏极电流为-2.2 a，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，第Vgs栅极-源极阈值电压为-0.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为123mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为58ns，典型关通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为2.9nC。
CSD23203WT是MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA，包括-0.8 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在-6 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-8 V，提供单位重量功能，如0.000060 oz，典型开启延迟时间设计为14 ns，该器件还可以用作P沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD23203W系列，上升时间为12ns，漏极-源极电阻Rds为16.2mOhms，Qg栅极电荷为4.9nC，包装为卷轴式，封装盒为DSBGA-6，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-3A，下降时间为27ns。
CSD23203W是MOSFET CSD23203W8 V P沟道MOSFET 6-DSBGA，包括1个沟道数量的沟道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于CSD23203W，提供Si等技术特性，商品名设计用于NexFET，以及P沟道晶体管极性，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。
CSD23280F3是MOSFET 12 V P沟道FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR-55至150，包括硅技术，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于CSD23280F3。
