9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMT10H015LFG-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMT10H015LFG-7参考价格为1.14000美元。Diodes Incorporated DMT10H015LFG-7封装/规格：MOSFET N-CH 100V PWRDI3333。您可以下载DMT10H015LFG-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMT10H015LFG-13带有引脚细节，包括DMT10系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002540盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于PowerDI，以及PowerDI-3333封装盒，该设备也可用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有2 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8.1 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为42 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为13.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19.7ns，典型接通延迟时间为6.5ns，Qg栅极电荷为33.3nC，沟道模式为增强。
DMT10H010LSS-13是MOSFET MOSFET BVDSS，包括1.4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如11.6 ns，典型的关闭延迟时间设计为42.9 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该系列为DMT10H010，器件的上升时间为14.1 ns，器件的漏极-源极电阻为14.5 mOhms，Qg栅极电荷为53.7 nC，Pd功耗为1.9 W，封装为卷轴式，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为29.5 A，下降时间为22 ns，配置为1 N通道，通道模式为增强型。
DMT10H010LPS-13是MOSFET 100V N-Ch Enh FET低Rdson，包括卷筒封装，设计用于DMT10H010系列。
