NTF2955T1G

规格参数

• 宽（英寸） thirty-six
• 制造厂商 台舟 (TECH PUBLIC)
• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 漏源电压标 (Vdss) 60 V
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
• 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
• 场效应管类型 P-通道
• 漏源电流 (Id) @ 温度 1.7A（Ta）
• 最大功耗 1W（Ta）
• 包装/外壳 至261-4，至261AA
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
• 供应商设备包装 SOT-223 (TO-261)
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 14.3 nC@10 V
• 导通电阻 Rds(ON) 185毫欧姆@2.4A，10V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 492 pF @ 25 V
• 材质 橡胶