9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4455DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4455DY-T1-GE3参考价格1.72000美元。Vishay Siliconix SI4455DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 150V 2A 8SO。您可以下载SI4455DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4455DY-T1-E3是MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4455DY-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于SOIC窄8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有3.1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-50 C，下降时间为34 ns 35 ns，上升时间为95 ns 28 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为2A，Vds漏极-源极击穿电压为-150V，Rds导通漏极-电源电阻为295mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为38ns 52ns，典型接通延迟时间为20ns 11ns，沟道模式为增强型。
带有用户指南的SI4455-C2A-GMR，包括1.8 V~3.6 V电源，设计用于TxRx+MCU类型，系列如数据表注释所示，用于提供SPI等串行接口功能的SI4455-C2A，灵敏度设计用于-115dBm，以及通用ISM RF系列标准，该设备也可用作13dBm（最大）功率输出。此外，该包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备采用20-VFQFN裸露衬垫包装盒，其工作温度范围为-40°C~85°C，调制为FSK、GFSK、OOK，GPIO为4，频率为284MHz~960MHz，数据速率最大值为500kbps，电流发射为19mA~24mA，电流接收为10.9mA。
SI4455DY，带有SI制造的电路图。SI4455DY在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI4455DY-T1，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4455DY-T1采用SO-8封装，是FET的一部分-单个。
