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CSD18537NKCS是MOSFET 60V N沟道NexFET Pwr MOSFET，包括CSD18537NK CS系列，它们设计用于管封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于NexFET，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为79 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.9 ns，上升时间为3.2 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为54A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为14mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12.6ns，典型接通延迟时间为4.5ns，Qg栅极电荷为14nC，正向跨导Min为100S，并且信道模式是增强。
CSD18536KTT是“TI制造的MOSFET 60V。CSD18536KTT采用TO-263-3封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持”MOSFET60V、Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 4引脚（3+Tab）TO-263 T/R、MOSFET60V和N沟道NexFET功率MOSFET 3-DDPAK/TO-263-55至175。
CSD18536KTTT是“TI制造的MOSFET 60V。CSD18536KTTT采用TO-263-3封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持”MOSFET60V、N沟道60V 200A（Ta）、349A（Tc）375W（Tc）表面安装DDPAK/TO-263-3、Trans MOSFET N-CH Si 60V 200V 4引脚（3+Tab）TO-263 T/R、MOSFET60V和N沟道NexFET功率MOSFET 3-DDPAK/TO-263-55至175。
