9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7431DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7431DP-T1-GE3参考价格$4.29000。Vishay Siliconix SI7431DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8。您可以下载SI7431DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7430DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8，包括SI74xxDx系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表中显示了用于SI7430DP-GE3的零件别名，该SI7430DPE-GE3提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SO-8封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为64W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为150V，输入电容Cis-Vds为1735pF@50V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为26A（Tc），最大Id Vgs的Rds为45mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为43nC@10V，Pd功耗为5.2W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为6 ns 7 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为150 V，Rds漏极源极电阻为45 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns 20ns，典型接通延迟时间为14ns 16ns，信道模式为增强。
SI7431DP-T1-E3是MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于-200 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如23 ns，典型的关闭延迟时间设计为110 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为SI74xxDx系列，该器件的上升时间为49 ns，漏极-源极电阻Rds为174 mOhms，Pd功耗为1.9 W，零件别名为SI7431DP-E3，封装为卷轴式，封装盒为SO-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为2.2 A，下降时间为49 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7431DP，带有VISHAY制造的电路图。SI7431DP在QFN封装中提供，是FET的一部分-单个。
