9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PSMN8R3-40YS，115，在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PSMN8R3-40YS，115价格参考1.03000美元。Nexperia USA Inc.PSMN8R3-40YS，115封装/规格：MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56。您可以下载PSMN8R3-40YS，115英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
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PSMN8R2-80YS，115是MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于LFPAK、Power-SO8以及MOSFET N沟道，金属氧化物FET型，该器件也可以用作130W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为80V，该器件提供3640pF@40V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为82A（Tc），最大Id Vgs的Rds为8.5 mOhm@15A、10V，Vgs th最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为55nC@10V。
带有NXP制造的用户指南的PSMN8R2-80YS115。PSMN8R2-80YS115采用LFPAK Power-SO8封装，是IC芯片的一部分。
PSMN8R3-40YS，带有NXP制造的电路图。PSMN8R3-40YS在SOT669封装中提供，是FET的一部分-单个。
