BUK7M6R7-40HX
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Ta) 最大功耗: 65W (Ta) 供应商设备包装: LFPAK33 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1500+ | 6.01431 | 9021.47400 |
- 库存: 3600
- 单价: ¥6.01432
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.01
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
- 最大栅源极电压 (Vgs) +20伏、-10伏
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 50A (Ta)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.6V @ 1毫安
- 供应商设备包装 LFPAK33
- 包装/外壳 SOT-1210,8-LFPAK33(5导联)
- 导通电阻 Rds(ON) 6.7毫欧姆 @ 20A, 10V
- 最大功耗 65W (Ta)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1625 pF@25 V
BUK7M6R7-40HX 产品详情
Nexperia的Trench 9系列功率MOSFET主要针对汽车行业,将公司的低压超结技术与其先进的封装能力相结合,以提供高性能和耐用性。Nexperia正在扩大其汽车合格Power-SO8 MOSFET的产品组合,以包括超低RDS(on)部件,以满足许多典型汽车应用中对更高功率密度的不断增长的需求。Trench 9器件均通过AEC-Q101认证,在关键可靠性测试(包括温度循环、高温栅极偏置、高温反向偏置和间歇性工作寿命)中超过了该国际汽车标准的两倍之多。
BUK7M6R7-40HX所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BUK7M6R7-40HX 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BUK7M6R7-40HX价格参考¥6.014316,你可以下载 BUK7M6R7-40HX中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BUK7M6R7-40HX规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安世半导体 (Nexperia)
Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...