9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR426DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR426DP-T1-GE3价格参考1.09000美元。Vishay Siliconix SIR426DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8。您可以下载SIR426DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SIR424DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIR424DP-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为41.7W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为1250pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为30A（Tc），最大Id Vgs的Rds为5.5mOhm@20A、10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为35nC@10V、Pd功耗为4.8W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为10ns，上升时间为12ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-源极电阻为4.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为22nC，正向跨导最小值为80S，沟道模式为增强。
SIR422DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1.2 V至2.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，例如40 V，单位重量设计用于0.017870盎司，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在PowerPAKR SO-8供应商器件包中提供，该器件具有串联的TrenchFETR，Rds On Max Id Vgs为6.6 mOhm@20A，10V，Rds On漏极-源极电阻为6.6 mOhm，Qg栅极电荷为16.1 nC，功率最大值为34.7W，Pd功耗为34.7 W，部件别名为SIR422DP-GE3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR SO-8，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为1785pF@20V，Id连续漏极电流为40A，栅极电荷Qg Vgs为48nC@10V，正向跨导最小值为70S，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为40A（Tc），配置为单一。
SiR424DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SiR424DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
