9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1443EDH-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1443EDH-T1-GE3参考价格为0.56000美元。Vishay Siliconix SI1443EDH-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363。您可以下载SI1443EDH-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI1443EDH-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如SI1443EDH-T1-GE3库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
SI1442DH-T1-GE3是MOSFET N-CH 12V 4A SOT-363，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI1442DH-GE3的部件别名，该产品提供单位重量功能，如0.000988 oz，安装样式设计用于SMD/SMT，以及6-TSSOP、SC-88、SOT-3633封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SC-70-6（SOT-363），配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.8W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为1010pF@6V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为4A（Ta），最大Id Vgs的Rds为20 mOhm@6A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为33nC@8V，Pd功耗为2.8 W，Vgs栅极-源极电压为1 V，Id连续漏极电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为12 V，Rds漏极源极导通电阻为30 mΩ，晶体管极性为N沟道。
SI1441EDH-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363，包括-1V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在10VVgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-20 V，提供单位重量功能，如0.000265盎司，晶体管类型设计为在1个P沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，Rds漏极-源极电阻为41 mOhm，该器件提供22 nC Qg栅极电荷，该器件具有2.8 W的Pd功耗，部件别名为SI1417EDH-T1-GE3，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-363-6，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-4A，正向跨导最小值为16S，配置为单一。
Si1443EDH-T1-GE3是MOSFET-30V54mOhm@10V4A P-Ch G-III，包括单组态，其设计为在420 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了用于14 S的正向跨导最小值，提供了Id连续漏极电流功能，如-4 a，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及1信道数的信道，该设备也可以用作SOT-363-6封装盒。此外，封装为卷筒，该器件以SI1443EDH-GE3部件别名提供，该器件具有2.8 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为18.5 nC，Rds漏极-源极电阻为54 mOhm，上升时间为64 ns，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1 P沟道、典型关断延迟时间为1800 ns，典型的开启延迟时间为40ns，单位重量为0.000265oz，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Vgs栅极-源极电压为12V。
SI1443EDH-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI1443EDH-T1-E3在SC70-6封装中提供，是IC芯片的一部分。
