9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMTH610LK3-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMTH610LK3-13参考价格1.28000美元。Diodes Incorporated DMTH610LK3-13封装/规格：MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252。您可以下载DMTH610LK3-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMTH6005LPSQ-13，带有引脚细节，包括DMTH6005系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如PowerDI5060-8，技术设计用于Si，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作1 N信道配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供150 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8.9 ns，上升时间为9.4 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为10mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为8.3ns，Qg栅极电荷为47.1NC，沟道模式为增强。
DMTH6009LK3Q-13和用户指南，包括1.4 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供典型的开启延迟时间功能，如4.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为35.9 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMTH6009LK3系列，该器件的上升时间为8.6 ns，漏极-源极电阻Rds为10 mOhms，Qg栅极电荷为33.5 nC，Pd功耗为60 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252 3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为59 A，下降时间为15.7 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带电路图的DMTH6005LPS-13，包括1个信道数，它们设计为与卷筒包装一起工作，系列如数据表注释所示，用于DMTH6005，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N信道以及1个N信道晶体管类型中工作。
DMTH6009LK3-13具有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计用于卷筒包装，系列如数据表注释所示，用于DMTH6009。
