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STW11NK90Z

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.2A (Tc) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 49.97601 49.97601
10+ 45.14499 451.44996
100+ 37.37408 3737.40880
500+ 33.40396 16701.98250
  • 库存: 0
  • 单价: ¥50.55544
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥49.98
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 包装/外壳 至247-3
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大功耗 200W(Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9.2A (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 100A
  • 漏源电压标 (Vdss) 900 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3000 pF @ 25 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 115 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 980毫欧姆@4.6A,10V
  • 材质

STW11NK90Z 产品详情

标记:W11NK90Z,包装:TO-247

SuperMESH系列是通过对ST的充分优化而获得的
基于条带的PowerMESH™ 布局除了推动阻力显著下降外
注意确保对于最苛刻的应用具有非常好的dv/dt能力。
该系列补充了ST全系列高压功率MOSFET,包括革命性的
MDmesh产品

http://w w.st.com/web/en/categy/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF92689

特色

  • 100%雪崩测试
  • 网关费用最小化
  • 极高的dv/dt能力
  • Verygood制造可重复性
  • Verylowintrinsic电容
STW11NK90Z所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STW11NK90Z 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STW11NK90Z价格参考¥50.555442,你可以下载 STW11NK90Z中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STW11NK90Z规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...

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