9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFP048RPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFP048RPBF参考价格为5.30000美元。Vishay Siliconix IRFP048RPBF封装/规格：MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3。您可以下载IRFP048RPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFP048NPBF是MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC，包括管封装，它们设计用于1.340411盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-247-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供140 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为48 ns，上升时间为78 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为64 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为16m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为89nC，正向跨导最小值为22S，沟道模式为增强。
IRFP048PBF是MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8.1 ns，典型的关闭延迟时间设计为210 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为250 ns，器件的漏极电阻为18 mOhms，Pd功耗为190 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏极电流为70 A，正向跨导最小值为20 S，下降时间为250 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IRFP048，带有由IR制造的电路图。IRFP04可在TO-247封装中获得，是FET的一部分-单个。
IRFP048N是由IOR制造的MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC。IRFP048N可在TO-247-3封装中获得，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC、N沟道55V 64C（Tc）140W（Tc）通孔TO-247C。
