9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT53N60BC6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT53N60BC6参考价格$7.88000。Microchip Technology APT53N60BC6封装/规格：MOSFET N-CH 600V 53A TO247。您可以下载APT53N60BC6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT53F80J是分立半导体模块Power FREDFET-MOS8，包括功率MOSFET模块产品，它们设计用于散装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.058219盎司，提供安装方式功能，如螺丝，商品名设计用于Power MOS 8 ISOTOP，以及SOT-227-4封装盒，该设备也可以用作单一配置。此外，Pd功耗为960 W，器件的下降时间为125 ns，器件的上升时间为145 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为57 a，Vds漏极-源极击穿电压为800 V，Vgs栅-源极阈值电压为2.5 V，Rds漏极源极电阻为70 mOhms，并且晶体管极性为N沟道，并且典型关断延迟时间为435ns，并且典型接通延迟时间为100ns。
APT51M50J是分立半导体模块功率MOSFET-MOS8，包括3 V Vgs栅源阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如1.058219盎司，典型的开启延迟时间设计为45 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为POWER MOS 8 ISOTOP，该器件的上升时间为55 ns，该器件具有64 mOhms的Rds漏极-源极电阻，产品为功率MOSFET模块，Pd功耗为480 W，封装外壳为SOT-227-4，安装方式为螺旋式，Id连续漏极电流为51 a，下降时间为39 ns，配置为单一。
APT52N50C3，带有INFINEON制造的电路图。APT52N50C3采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
