9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP43N60DM2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP43N60DM2参考价格为6.17000美元。STMicroelectronics STP43N60DM2封装/规格：MOSFET N-CH 600V 34A TO220。您可以下载STP43N60DM2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP42N60M2-EP，带引脚细节，包括0.011640盎司单位重量，设计用于通孔安装型，数据表说明中显示了to-220-3中使用的封装盒，提供Si等技术特性，信道数设计用于1信道，以及单配置，该设备还可用于250 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为8 ns，上升时间为9.5 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-25 V，Id连续漏极电流为34 a，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Vgs第栅极-源阈值电压为2 V，Rds导通漏极-源极电阻为87毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为96.5纳秒，典型接通延迟时间为16.5纳秒，Qg栅极电荷为55纳秒，沟道模式为增强型。
带用户指南的STP43N60DM2，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-25 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供0.011640 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为29 ns，以及85 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在27纳秒上升时间内提供，器件具有93 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为56 nC，Pd功耗为250 W，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为34 A，下降时间为6 ns，配置为1 N通道，通道模式为增强型。
STP42N65M5是MOSFET N-CH 650V 33A TO-220，包括33A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，设计用于650V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，除了4650pF@100V输入电容Cis Vds之外，该器件还可以用作通孔安装型，其工作温度范围为150°C（TJ），该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有封装管，最大功率为190W，最大Id Vgs上的Rds为79 mOhm@16.5A，10V，系列为MDmesh？五、 供应商设备包为TO-220-3，Vgs th Max Id为5V@250μA。
具有SAMHOP制造的EDA/CAD模型的STP423S。STP423S采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
