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FDB86360_F085是MOSFET N沟道功率沟道MOSFET，包括卷盘封装，它们设计用于0.046296盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-263-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1沟道数量的信道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供333 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为70 ns，上升时间为197 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为110 A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为86ns，典型接通延迟时间为75ns，Qg栅极电荷为207nC。
FDB86360，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDB86360在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
FDB86363，电路图由FSC制造。FDB86363在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
