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PSMN8R3-40YS，115是MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于LFPAK、Power-SO8以及MOSFET N沟道，金属氧化物FET型，该器件也可以用作74W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为40V，该器件提供1215pF@20V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为70A（Tc），最大Id Vgs的Rds为8.6mOhm@15A、10V，Vgs最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V。
PSMN8R5-100ESQ是MOSFET PSMN8R5-100ES/I2PAK/STANDARD M，包括4 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为87 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为35ns，器件的漏极-源极电阻为22.6 mOhms Rds，器件具有111nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为263W，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，安装方式为通孔，Id连续漏极电流为100A，下降时间为43ns。
PSMN8R5-100ES127，带有NXP制造的电路图。是IC芯片的一部分。
