9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PSMN7R8-120PSQ，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PSMN7R8-120PSQ参考价格为1.21000美元。Nexperia USA Inc.股份有限公司PSMN7R8-120PSQ包装/规格：Nexperia PSMN7 R8-120PSQ-70A，1。您可以下载PSMN7R8-120PSQ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PSMN7R8-120ESQ是MOSFET N沟道120 V 7.9 mo FET，包括管封装，它们设计用于单位重量为0.084199 oz的工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供I2PAK-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1沟道数量的信道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供349 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为60.8 ns，上升时间为55.3 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为70 A，Vds漏极-源极击穿电压为120V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.72mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为151.8ns，典型接通延迟时间为45.5ns，Qg栅极电荷为167nC。
带有用户指南的PSMN7R8-100PSEQ，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供了管、通道数等封装功能，设计为在1个通道中工作。
PSMN7R6-60PS是NXP制造的MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB。PSMN7R6-60PS采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB。
