UJ3C065080K3S
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 190W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 63.30294 | 63.30294 |
10+ | 57.21166 | 572.11667 |
100+ | 47.36639 | 4736.63930 |
500+ | 41.24614 | 20623.07150 |
1000+ | 36.28692 | 36286.92900 |
- 库存: 0
- 单价: ¥63.30295
-
数量:
- +
- 总计: ¥63.30
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规格参数
- 宽(英寸) forty-eight
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 51 nC @ 15 V
- 制造厂商 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC)
- 技术 -
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 12伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 6V @ 10毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1500 pF@100 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 31A (Tc)
- 最大功耗 190W(Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 111毫欧姆@20A,12V
- 材质 -
UJ3C065080K3S 产品详情
UnitedSiC SiC级联是第三代栅极驱动SiC器件,是高性能SiC JFET和级联优化MOSFET的组合。这些SiC Cascode是由串联连接的高压SiC耗尽型JFET和低压硅MOSFET形成的增强型功率开关。SiC Cascode为本征二极管正向压降(VSD)和恢复电荷(QRR)提供了最佳性能。这些器件提供超低的栅极电荷,但也具有类似额定值的任何器件的最佳反向恢复特性。
UJ3C065080K3S所属分类:分立场效应晶体管 (FET),UJ3C065080K3S 由 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。UJ3C065080K3S价格参考¥63.302946,你可以下载 UJ3C065080K3S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询UJ3C065080K3S规格参数、现货库存、封装信息等信息!
碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC)
UnitedSiC现在是Qorvo。