特色
- TJ=150°C时为650 V
- 最大RDS(开)=260 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg=48 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss.eff=129 pF)
- 100%雪崩测试
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 18.39696 | 18.39696 |
10+ | 16.52105 | 165.21055 |
100+ | 13.27913 | 1327.91330 |
500+ | 10.91012 | 5455.06250 |
1000+ | 9.91828 | 9918.28200 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...