9icnet为您提供由NXP USA Inc.设计和生产的PMV20EN215，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PMV20EN215价格参考0.06000美元。NXP USA Inc.PMV20EN215封装/规格：小信号N通道MOSFET。您可以下载PMV20EN215英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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带有引脚细节的PMV20ENR，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为在0.050717盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TO-236AB（SOT23）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为510mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为435pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A（Ta），最大Id Vgs的Rds为21mOhm@6A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10.8nC@10V，Pd功耗为1.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为17ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Id连续漏极电流为7.6A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第栅极-源阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为34mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9ns，典型接通延迟时间为9 ns，Qg栅极电荷为7.2nC，正向跨导Min为8S，信道模式为增强。
PMV1-P12B-3K是18-20AWG INS RED连接线引脚，包括18-20 AWG线规，设计用于压接终端，引脚直径如数据表注释所示，用于圆形-0.080“（2.03mm）直径，具有胶带和卷轴（TR）等包装功能，长度引脚设计用于0.394”（10.00mm），以及0.890“（22.61mm）的总长度，该设备也可以用作0.150”（3.81mm）的绝缘直径。此外，绝缘层为绝缘层，设备为红色。
PMV2024GY是磁极安装套件PMK系列，包括安装套件附件类型，它们设计用于与相关产品一起使用的PMK系列一起使用，该系列显示在PMK中使用的数据表注释中。
带有NXP制造的EDA/CAD模型的PMV20XN。PMV20XN在SOT-23封装中提供，是FET的一部分-单个。
