应用
•开关稳压器
特征
（1） 低漏极源导通电阻：RDS（on）=0.073Ω （典型）用于超级连接结构：DTMOS
（2） 易于控制的闸门开关
（3） 增强模式：Vth=2.7至3.7 V（VDS=10 V，ID=1.5 mA）
做记号
特色
- 装配底座：3.7 V
- 装配底座：88 mΩ
- 装配底座：3000 pF
- 装配底座：86 nC
应用
开关稳压器
TK31N60W,S1VF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30.8A (Ta) 最大功耗: 230W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 64.09966 | 64.09966 |
| 10+ | 57.89974 | 578.99743 |
| 100+ | 47.93351 | 4793.35120 |
| 500+ | 41.74010 | 20870.05400 |
| 1000+ | 36.72150 | 36721.50300 |
- 库存: 0
- 单价: ¥64.09967
-
数量:
- +
- 总计: ¥64.10
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 包装/外壳 至247-3
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 86 nC @ 10 V
- 制造厂商 东芝 (Toshiba)
- 最大功耗 230W（Tc）
- 供应商设备包装 TO-247
- 场效应管特性 超级结
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3000 pF @ 300 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 30.8A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 88毫欧姆 @ 15.4A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.7V @ 1.5毫安
- 材质 钢
TK31N60W,S1VF 产品详情
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TK31N60W,S1VF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，TK31N60W,S1VF 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TK31N60W,S1VF价格参考￥64.099665，你可以下载 TK31N60W,S1VF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TK31N60W,S1VF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
