久芯网

STW65N60DM6

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 70.98042 70.98042
10+ 64.12863 641.28637
100+ 53.09335 5309.33540
500+ 47.45287 23726.43650
  • 库存: 0
  • 单价: ¥64.53424
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥70.98
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 宽(英寸) forty-eight
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 通孔
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 包装/外壳 至247-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 38A (Tc)

STW65N60DM6 产品详情

STMicroelectronics MDmesh DM2系列是ST最新的快速恢复二极管系列功率MOSFET,针对ZVS移相桥拓扑进行了优化。它们具有非常低的恢复费用和时间(Qrr,trr),与上一代相比RDS(开启)降低了20%。高dV/dt耐用性可确保提高系统可靠性。

特色

  • 设计用于自动驾驶应用,AEC-Q101合格
  • 快速恢复体二极管
  • 极低栅极电荷和输入电容
  • 低通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 极高的dv/d耐用性
  • 齐纳保护
STW65N60DM6所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STW65N60DM6 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STW65N60DM6价格参考¥64.534239,你可以下载 STW65N60DM6中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STW65N60DM6规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部