该N沟道功率MOSFET采用STripFET F5技术开发,并经过优化以实现极低的导通电阻,从而使FoM在同类产品中名列前茅。
特色
- 低通电阻RDS(开)
- 高雪崩强度
- 低门驱动功率损失
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 31.72390 | 31.72390 |
10+ | 28.48632 | 284.86326 |
100+ | 23.33807 | 2333.80720 |
500+ | 19.86742 | 9933.71000 |
1000+ | 19.04049 | 19040.49800 |
3000+ | 19.04049 | 57121.49400 |
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该N沟道功率MOSFET采用STripFET F5技术开发,并经过优化以实现极低的导通电阻,从而使FoM在同类产品中名列前茅。
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