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STL140N4LLF5

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A(Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 31.72390 31.72390
10+ 28.48632 284.86326
100+ 23.33807 2333.80720
500+ 19.86742 9933.71000
1000+ 19.04049 19040.49800
3000+ 19.04049 57121.49400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥25.35015
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥31.72
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 140A(Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大功耗 80W (Tc)
  • 供应商设备包装 PowerFlat(5x6)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±22V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 45 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5900 pF @ 25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.75欧姆@16A,10V

STL140N4LLF5 产品详情

该N沟道功率MOSFET采用STripFET F5技术开发,并经过优化以实现极低的导通电阻,从而使FoM在同类产品中名列前茅。

特色

  • 低通电阻RDS(开)
  • 高雪崩强度
  • 低门驱动功率损失
STL140N4LLF5所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STL140N4LLF5 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STL140N4LLF5价格参考¥25.350150,你可以下载 STL140N4LLF5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STL140N4LLF5规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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