9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFP26N60LPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFP26N60LPBF参考价格为10.47000美元。Vishay Siliconix IRFP26N60LPBF封装/规格：MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3。您可以下载IRFP26N60LPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFP264PBF是MOSFET N-CH 250V 38A TO-247AC，包括管封装，它们设计用于1.340411盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-247-3等封装外壳功能，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TO-247-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为280W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为250V，输入电容Cis-Vds为5400pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为38A（Tc），最大Id Vgs的Rds为75mOhm@23A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为210nC@10V，Pd功耗为280W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为92 ns，上升时间为99 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为38A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds导通漏极-漏极电阻为75m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为22ns，沟道模式为增强。
IRFP26N60带有IR制造的用户指南。IRFP26N80采用TO-247封装，是FET的一部分-单个。
IRFP26N60L是由IR制造的MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC。IRFP26N50L可在TO-247-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 26A TO-247AC、N通道600V 26A（Tc）470W（Tc）通孔TO-247-33、跨接MOSFET N-CH2600V 26A 3引脚（3+Tab）TO-247AC-。
