该N沟道100 V功率MOSFET是STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新发展。所得到的晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤,允许显著的制造再现性。
特色
- 异常v/dt能力
- 低门电荷
- 100%雪崩测试
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 19.55583 | 19.55583 |
10+ | 17.59300 | 175.93004 |
100+ | 14.14103 | 1414.10380 |
500+ | 11.61833 | 5809.16800 |
1000+ | 10.56217 | 10562.17600 |
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该N沟道100 V功率MOSFET是STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新发展。所得到的晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤,允许显著的制造再现性。
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